AlGaN se utiliza para fabricar diodos electroluminosos funcionamiento en azul a ultravioleta región, donde las longitudes de onda abajo a 250 nanómetro (UV lejano) fueron alcanzadas. También se utiliza en azul lasers del semiconductor. También se utiliza en detectores de la radiación ultravioleta, y en AlGaN/GaN HEMT transistores.
AlGaN es de uso frecuente junto con nitruro del galio o nitruro del aluminio, formando heterojunctions.
Las capas de AlGaN se pueden también crecer encendido zafiro.
Aspectos de seguridad y de la toxicidad
La toxicología de AlGaN no se ha investigado completamente. El polvo de AlGaN es un irritante a pelar, ojos y pulmones. Los aspectos del ambiente, de salud y de seguridad de las fuentes del nitruro del galio del aluminio (por ejemplo trimethylgallium y amoníaco) e higiene industrial que supervisan estudios del estándar MOVPE las fuentes se han divulgado recientemente en una revisión [1].Referencias
^ Ediciones del ambiente, de salud y de seguridad para las fuentes usadas en el crecimiento de MOVPE de semiconductores compuestos; D V Shenai-Khatkhate, R Goyette, R L DiCarlo y G Dripps, diario del crecimiento cristalino, vol. 1-4, pp. 816-821 (2004); doi:doi: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
Raul Armando Torres Galindo
asignatura EES
seccion 02
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