Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura
de zincblenda
Los compuestos GaN, AlN, InN y sus aleaciones,
también llamados nitruros, han despertado gran interés en
los últimos años debido a su potencial aplicación en
dispositivos optoelectrónicos. Particularmente, los
semiconductores basados en la aleación InGaN han sido
utilizados en el diseño de dispositivos comerciales tales
como diodos emisores de luz (LED´s) y diodos láser
(LD´s) con longitudes de onda 320-405 nm [1,2]. La
importancia de los dispositivos optoelectrónicos basados en
nitruros es debida a que presentan una alta eficiencia y un
tiempo de vida grandes. Es por esto que tienen enormes
aplicaciones en la vida cotidiana, como puede ser
comprobado con la aparición de displays, semáforos y
lámparas de iluminación casera hechas con LED's basados
en nitruros, así como con la creación de LD de longitud de
onda de 405 nm usados en los nuevos discos ópticos, los
llamados blue-ray disc, que tienen una capacidad de
almacenamiento de entre 25 y 50 GB.
Tabla 1. Parámetros de amarre fuerte de los compuestos GaN e InN (en eV).
E(s,a) E(p,a) E(s,c) E(p,c) E(s*,a) E(s*,c) V(s,s) V(x,x)
GaN -12.9156 3.2697 -1.5844 9.1303 14.0000 14.0000 -8.8996 5.4638
InN -12.8605 2.7081 -0.3994 8.7518 15.0000 15.0000 -4.2285 4.8684
V(x,y) V(sa,pc) V(sc,pa) V(s*a,pc) V(pa,s*c) λa λc Δ0
GaN 8.7208 6.7152 7.3524 7.8440 2.3827 0.003 0.015 0.018
InN 6.7505 3.3231 5.6091 8.9764 3.0144 0.003 0.002 0.010
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Figura 1. Brecha energética prohibida de la aleación InxGa1-xN en la
estructura de zincblenda como función de la concentración de In. Los
diamantes representan resultados experimentales.
Figura 2. Energía de transición como función del ancho del pozo en la
ley de escalamiento de Harrison para diferentes valores de BO y
concentración x = 0.2.
Figura 3. Energía de transición como función del ancho del pozo en la
ley de escalamiento de Arriaga diferentes valores de BO y
concentración x = 0.2.
La parte esencial de un LED o un LD es un pozo
cuántico. Los pozos cuánticos de GaN/InGaN/GaN han
sido estudiados anteriormente debido a su uso como
regiones activas en láseres; por ejemplo, estos pozos con
relación de espesor de pozo/barrera de 2/12 nm han
mostrado alta eficiencia en diodos láser [3]. Además,
heteroestructuras hechas con éstos, muestran intensa
luminiscencia y fotoluminiscencia [4] y presentan baja
sensibilidad a los cambios de temperatura [5].
Adicionalmente, Haberer y colaboradores [6], han
fabricado microdiscos tomando como región activa pozos
cuánticos múltiples de InGaN utilizando el método
denominado grabado foto-electroquímico.
Hasta ahora, la mayoría de los trabajos dedicados a
pozos cuánticos basados en nitruros se ha concentrado en la
parte experimental, dejando el lado teórico con poca
atención. Con el objeto de entender mejor los procesos
involucrados en estos sistemas, en el presente trabajo
estudiamos teóricamente la energía de transición 1h-1e de
pozos cuánticos (001) de GaN/InxGa1-xN/GaN como
función del ancho del pozo para valores de la
concentración x = 0.1 y 0.2. Usamos el método de amarre
fuerte empírico (ETB) junto con el método Surface Green
Function Matching (SGFM), tomando en cuenta la tensión
en el pozo. Por otra parte, el band offset (BO) en
heteroestructuras cuánticas es una información
fundamental para el diseño de dispositivos, sin embargo,
para los nitruros hay pocos datos y varían mucho los
valores reportados [7-9], por esa razón los cálculos los
hemos realizado también variando el valor del BO para
analizar su efecto en las energías de transición.
2. Modelo teórico
El estudio lo realizamos en cuatro etapas. En la primera
se calcula la estructura electrónica de los compuestos
binarios volúmicos puros GaN e InN. En la referencia [10]
está descrita la obtención de la estructura electrónica de
ellos, usando ETB con una base de orbitales atómicos
sp3s*, interacción a primeros y segundos vecinos y
tomando en cuenta el acoplamiento espín-órbita. En este
trabajo hacemos un estudio de las propiedades electrónicas
de pozos cuánticos en el centro (punto Γ) de la zona de
Brillouin (ZB) bidimensional, incorporando sólo primeros
vecinos. Consideramos que no es importante tomar en
cuenta interacciones hasta segundos vecinos, ya que incluir
éstos sólo modifica un poco la estructura de bandas de los
materiales puros en el punto L de la ZB, y las propiedades
optoelectrónicas más importantes provienen del centro de
la ZB. Los parámetros ETB (ETBP) se obtienen ajustando
a datos experimentales de estructura de bandas o cálculos
de primeros principios. Posteriormente, en la segunda
etapa, usamos la aproximación de cristal virtual (VCA)
[10-15] para obtener los ETBP de la aleación InxGa1-xN. En
el marco de la VCA, los ETBP de la aleación se calculan
promediando con la siguiente fórmula
EInGaN (x) = (1− x)EGaN + xEInN (1)
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Figura 4. Energía de transición como función del ancho del pozo en
la ley de escalamiento de Harrison y de Arriaga; el valor del BO es de
20% y la concentración es x = 0.2.
Figura 5. Energía de transición como función del ancho del pozo
para x = 0.1 y x = 0.2 en la ley de escalamiento de Harrison; los
resultados son mostrados para x = 0.1 y 0.2 y un BO de 20%.
donde Ej (j = GaN, InN) son los ETBP de los compuestos
binarios dados en la Tabla 1. Cabe mencionar que la VCA
trata una aleación como un cristal perfectamente periódico,
suponiendo que su estructura es idéntica a la de los
constituyentes; por lo tanto, no describe los distintos
entornos atómicos locales en materiales inhomogéneos y
falla en casos especiales [11]. Sin embargo, la VCA tiene
la ventaja de su simplicidad y de que es
computacionalmente eficiente. Ya ha mostrado ser útil en
cálculos de TB reportados anteriormente [10,12]. Además,
esta aproximación se ha usado exitosamente para obtener
las propiedades estructurales y termodinámicas de muchos
materiales [13], así como las propiedades dieléctricas y
piezoeléctricas de otros más [14]. También explica el
ferromagnetismo como función de la concentración en
algunos casos [15]. En la tercera etapa del cálculo,
tomamos en cuenta la tensión en el pozo. La constante de
red de la aleación InGaN es apreciablemente mayor que la
del GaN a las concentraciones de In que usamos.
Asumimos que en la heteroestructura, el GaN, que es el
material de la barrera, permanece relajado con su constante
de red original y que la constante de red del material del
pozo, el InGaN, se acopla a la del GaN. Por lo tanto, el
InGaN está sujeto a tensión biaxial compresiva. Este efecto
se incorpora escalando los ETBP del InGaN obtenidos
mediante la Ec. 1, usando la siguiente expresión
E j E j r (2)
siendo α y β los tipos de orbitales de los ETBP de la Tabla
1. El cociente r/r0 es la distancia de los átomos de la red
deformada entre la distancia de los átomos de la red sin
deformar. Si hacemos el exponente ηαβ = 2 para todos los
tipos de orbitales, se tiene la parametrización de Harrison
[16]. Uno de los coautores de este trabajo (J. Arriaga),
realizó anteriormente [17] un estudio teórico de la
dependencia de la brecha energética prohibida (gap) de los
materiales GaAs y GaP bajo presión hidrostática, usando
diferentes exponentes. Encontró que usando la
parametrización ηss = 3.7 y para los demás tipos de
orbitales ηαβ = 2, se reproducían mejor los datos
experimentales. Estos valores de exponentes son similares
a los obtenidos por Priester y colaboradores [18]. Los datos
experimentales para la variación del gap de los nitruros
cúbicos con la presión hidrostática o tensión biaxial o
uniaxial, son escasos y es difícil realizar un ajuste. Por lo
anterior, en nuestros cálculos utilizamos ambos conjuntos
de exponentes (Harrison y Arriaga) para el escalamiento y
comparamos los resultados.
En la etapa final del cálculo, el tratamiento teórico de la
heteroestructura lo hacemos con el llamado método de
SGFM, el cual incorpora los efectos de las dos interfaces
de manera adecuada. Mediante este método calculamos las
energías de los estados ligados de huecos y electrones
como función del número de monocapas n de InxGa1-xN.
Este método está descrito en detalle en la referencia [19].
3. Resultados y Discusión
Los valores de los parámetros de red y las constantes
elásticas de los compuestos GaN e InN con estructura de
zincblenda los tomamos de las referencias [20,21]. Los
ETBP correspondientes están dados en la Tabla 1 [10].
Ambos semiconductores son de gap directo con valores de
3.3 eV y 0.8 eV, respectivamente. Asimismo, sus
constantes de red son 4.52 y 4.98 Å, respectivamente. En la
figura 1 presentamos la evolución del gap como función de
la concentración de In para la aleación ternaria en los
puntos de alta simetría Γ, X y L. Los diamantes representan
resultados experimentales de fotoluminiscencia en
películas de InGaN [22].
Calculamos los estados electrónicos de pozos cuánticos
de GaN/InxGa1-xN/GaN crecidos en la dirección (001) en el
centro de la ZB. Presentamos los resultados de los niveles
de energía como función del número de monocapas n de
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InxGa1-xN con 2 ≤ n ≤ 20. Una monocapa contiene dos
capas atómicas, una de aniones y otra de cationes. Nuestro
análisis incluye valores del BO de 20, 40 y 60 % para las
bandas de valencia, y calculamos la energía de transición
1h-1e para x = 0.1 y x = 0.2. En la figura 2 mostramos la
energía como función del ancho del pozo para x = 0.2
utilizando la ley de escalamiento de Harrison para los tres
valores de BO. Los resultados obtenidos en el caso de la
ley de escalamiento de Arriaga se muestran en la figura 3
para el mismo valor de la concentración de In y los mismos
valores de BO. Podemos observar que en ambos casos, la
energía de transición decrece cuando el ancho del pozo se
incrementa, esto debido a que los niveles energéticos del
hueco y del electrón se aproximan al fondo de sus pozos
respectivos. En el límite, cuando el ancho del pozo tiende a
infinito, el electrón y el hueco se comportarían como
partículas libres y su energía del estado base sería la del
fondo del pozo, es decir, la transición 1h-1e tendería al
valor del gap del material tensionado del pozo, al del
InxGa1-xN. Para x = 0.1 y 0.2, los valores del gap son 2.98 y
2.65 eV, respectivamente, para el material tensionado.
Podemos observar que la energía de la transición
disminuye al aumentar el valor del BO en la banda de
valencia, principalmente para pozos estrechos. Esto es así
porque en pozos estrechos solamente hay un nivel de
energía, el cual es muy sensible a la variación de la
profundidad del pozo al variar el BO. Con el objetivo de
comparar las dos leyes de escalamiento que estamos
utilizando, en la figura 4 presentamos los resultados
obtenidos para x = 0.2 y BO = 20 %. Podemos observar
que la energía de transición muestra una dependencia
apreciable con la ley de escalamiento, lo cual es más
notable al aumentar el ancho del pozo. Con los exponentes
de Arriaga, las energías de transición son más elevadas y
tienden con más lentitud al gap del InGaN tensionado, al
aumentar el ancho del pozo. Un comportamiento similar es
observado para BO = 40 % y 60 %. También hemos
obtenido la energía de la transición para x = 0.1. En la
figura 5 comparamos estos resultados con los obtenidos
para x = 0.2 y BO = 20 % en la ley de escalamiento de
Harrison. Se ve claramente que la energía de transición
disminuye conforme la concentración de In aumenta. Esto
es debido a que el gap de la aleación disminuye conforme x
aumenta.
4. Conclusiones
Hemos calculado la energía de la transición fundamental
1h-1e en el centro de la ZB, de pozos cuánticos
GaN/InxGa1-xN/GaN cúbicos crecidos en la dirección
(001). Se utilizó la aproximación de amarre fuerte con una
base de orbitales atómicos sp3s* en conjunto con el método
SGFM. El cálculo se realizó para concentraciones x = 0.1 y
0.2, variando el ancho de los pozos de 2 a 20 monocapas,
para varios valores del BO y usando escalamientos
diferentes para la variación de los ETBP al tomar en cuenta
la deformación del pozo. Al aumentar el ancho de los
pozos, la energía de transición tiende a la del gap de la
aleación InGaN del pozo tensionado. La energía de
transición disminuye cuando la concentración de In
aumenta. El aumento en el valor del BO de la banda de
valencia ocasiona que las energías de transición
disminuyan, efecto que es más notable en los pozos
estrechos. Por el contrario, al aumentar el valor del
exponente ηss de escalamiento de los ETBP por la tensión,
de 2.0 a 3.7, las energías de transición aumentan, siendo
más notorio el efecto para pozos anchos.
Jorge L. Polentino U.
EES
