sábado, 20 de marzo de 2010

nitride semiconductor laser device


"El reto del láser azul"

 

El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda ancha que permite obtener –combinado con aluminio– luz láser, corazón de los sistemas lectores de DVD de alta definición como: HD-DVD y Blu-Ray Disc.

Al respecto, el doctor Godofredo García Salgado, del Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores de la BUAP, en colaboración con el doctor Víctor Sánchez Reséndiz del Cinvestav-IPN, trabaja en un proyecto para obtener fases puras del GaN, mediante un sistema de MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition por sus siglas en inglés) aplicando un modelo termodinámico fuera de equilibrio, con el cual se adquiere el valor de la fuerza impulsora del proceso denominado afinidad termodinámica.

Para ello, el doctor García Salgado, como parte de su tesis doctoral, realizó un estudio del proceso de crecimiento y desarrolló ecuaciones que relacionan la afinidad termodinámica con todos los parámetros de crecimiento de un sistema de MOCVD: "si se conoce el flujo de los gases, la temperatura y la presión del sistema, entonces se puede determinar la afinidad termodinámica del proceso".

El reto es obtener una fase pura durante el proceso, en particular la cúbica, ya que permite hacer cortes más adecuados para fabricar un láser.

"El nitruro de galio, posee dos fases: una estable Wurtzita, de estructura hexagonal y otra metaestable Zincblenda con estructura cúbica. Normalmente el crecimiento del material, llevado a cabo por distintos métodos, presenta una mezcla de fases, que va en detrimento de la calidad del mismo y la de los dispositivos fabricados con él, como láseres o transistores de potencia", explica. Esta investigación permitirá fabricar láseres azules con mejor calidad.


Marcos Pinto D`derlee
C.I. 17862728
EES


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