HEMT

soportes para Transistor de movilidad de electrón alto, y también se llama FET de la heteroestructura (HFET) o FET modulation-doped (MODFET). Un HEMT es a transistor de efecto de campo incorporar una ensambladura entre dos materiales con diferente boquetes de la venda (es decir. a hetejuntion) como el canal en vez de una región dopada, al igual que generalmente el caso para MOSFETs. Una combinación material de uso general es GaAs con AlGaAs, aunque hay variación amplia, dependiente en el uso del dispositivo. Los dispositivos que incorporan más indio demuestran generalmente un funcionamiento de alta frecuencia mejor, mientras que estos últimos años, nitruro del galio Los HEMTs han visto un aumento masivo en el esfuerzo de la investigación, debido a su funcionamiento de alta potencia.
Para permitir generalmente la conducción, los semiconductores necesitan ser dopados con las impurezas para generar electrones móviles en la capa. Sin embargo, esto hace electrones retrasar porque terminan encima de chocar con las impurezas que fueron utilizadas para generarlas en el primer lugar. El HEMT, sin embargo, es un dispositivo elegante para resolver esta contradicción unsolvable aparentemente inherente.
El HEMT logra esto por medio de los electrones altos de la movilidad generados usando el heterojunction de un n-tipo ancho-bandgap alto-dopado donante-provee la capa (AlGaAs en nuestro ejemplo) y una capa estrecha-bandgap no-dopada del canal sin las impurezas del dopant (GaAs en este caso). Los electrones generados en el n-tipo gota de capa delgada de AlGaAs totalmente en la capa del GaAs para formar una capa agotada de AlGaAs, porque el heterojunction creado por diversos materiales del venda-boquete forma a pozo del quántum (una barranca escarpada) en la venda de conducción en el lado del GaAs de donde los electrones pueden moverse rápidamente sin chocar con cualquier impureza porque la capa del GaAs es undoped, y de cuál no pueden escaparse. El efecto de esto es crear mismo una capa delgada de electrones que conducen altamente móviles con la concentración muy alta, dando el canal muy bajo resistencia (o ponerlo otra manera, "alta movilidad de electrón"). Esta capa se llama a gas de dos dimensiones del electrón. Como con todos los otros tipos de FETs, un voltaje aplicado a la puerta altera la conductividad de esta capa.
Ordinariamente, los dos diversos materiales usados para un heterojunction deben tener igual constante del enrejado (espaciamiento entre los átomos). Como analogía, imagínese el empujar juntos de dos peines plásticos con un espaciamiento levemente diverso. En los intervalos regulares, usted verá dos dientes agrupar junto. En semiconductores, estas discontinuidades son una clase de "trampa", y reducen grandemente funcionamiento del dispositivo.
Un HEMT donde se viola esta regla se llama a pHEMT o pseudomorphic HEMT. Esta hazaña es alcanzada usando extremadamente una capa delgada de uno de los materiales - tan delgadamente que el enrejado cristalino estira simplemente para caber el otro material. Esta técnica permite la construcción de transistores con más grande bandgap diferencias que de otra manera posibles. Esto les da un funcionamiento mejor.
Otra manera de utilizar los materiales de diversas constantes del enrejado es poner una capa del almacenador intermediario entre ellas. Esto se hace en mHEMT o metamórfico HEMT, un adelanto del pHEMT desarrollado estos últimos años. En almacenador intermediario la capa se hace de AlInAs, con indio la concentración calificó de modo que pueda emparejar la constante del enrejado del substrato del GaAs y GaInAs canal. Esto trae la ventaja que prácticamente cualquier concentración del indio en el canal puede ser observada, así que los dispositivos se pueden optimizar para diversos usos (la concentración baja del indio proporciona bajo ruido; la alta concentración del indio da arriba aumento).
Los usos son similares a MESFETs - microonda y onda milimétrica comunicaciones, proyección de imagen, radar, y astronomía de radio - cualquier uso donde el aumento y de poco ruido altos en los de alta frecuencia se requieren. A la hora de la escritura, los HEMTs han demostrado el aumento actual >de 600GHz y el aumento de la energía >a 1THz. (Transistores bipolares del Heterojunction fueron demostrados en las frecuencias del aumento actual sobre 600 gigahertz en abril de 2005.) Las compañías numerosas por todo el mundo desarrollan y fabrican los dispositivos HEMT-basados. Éstos pueden ser transistores discretos pero más generalmente bajo la forma de circuito integrado llamó a MMIC el estar parado para el "circuito integrado monolítico de la microonda". Los dispositivos del HEMT se encuentran en muchos tipos de equipo que se extienden de cellphones y DBS receptores a guerra electrónica sistemas por ejemplo radar y para astronomía de radio.

Jorge Polentino
CI 19769972
EES
http://www.worldlingo.com/ma/enwiki/es/HEMT

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