Nitride semiconductor laser device

sábado, 20 de marzo de 2010

Nitride semiconductor laser device

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND OPTICAL DEVICE CONTAINING IT

(EN) A nitride semiconductor light emitting element comprising a work substrate (101a) formed on one principal plane of a nitride semiconductor substrate and having grooves and hills, a nitride semiconductor substrate layer (102) for covering the grooves and hills of the work substrate, and a light emitting element structure including a light emitting layer (106) containing a quantum well layer or a quantum well layer and a barrier layer in contact with the quantum well layer and formed between an n-type layer (103-105) and a p-type layer (107-110) on this nitride semiconductor substrate layer, a multi-layer-light-emitting-structure current constricting unit being formed above a region at least 1 $g(m)m away from the center in a width direction of a groove and at least 1 $g(m)m away from the center in a width direction of a hill.

(FR) Cette invention se rapporte à un élément photoémetteur à semi-conducteur au nitrure, qui comprend un substrat de travail (101a) formé sur un plan principal d'un substrat semi-conducteur au nitrure et comportant des rainures et des bosses, une couche de substrat semi-conducteur au nitrure (102) destinée à couvrir les rainures et les bosses du substrat de travail, et une structure d'élément photoémetteur contenant une couche photoémettrice (106) renfermant une couche de puits quantique ou une couche de puits quantique et une couche barrière en contact avec la couche de puits quantique et formée entre une couche de type n (103-105) et une couche de type p (107-106) sur cette couche de substrat semi-conducteur au nitrure, une unité de limitation de courant à structure photoémettrice multicouche étant formée au-dessus d'une zone à une distance d'au moins 1 µm du centre dans le sens de la largeur d'une rainure et à une distance d'au moins 1 µm du centre dans le sens de la largeur d'une bosse.