Una capa del almacenador intermediario,
una capa undoped del nitruro del galio,
y un n-tipo capa activa del nitruro del galio se
forman en un substrato del zafiro. Los contactos óhmicos y un
contacto de Schottky entonces se forman en el n-tipo capa activa
del nitruro del galio como un contacto de la fuente, un contacto del
dren y contacto de la puerta, respectivamente.
El contacto de Schottky es una aleación de cobre,
tal como cobre del paladio, en el cual el contenido en peso de el
cobre es el 5%
FONDO DE LA INVENCIÓN(1) Campo de la invenciónLa actual invención se relaciona con un dispositivo de semiconductor que incluya una capa del semiconductor del compuesto del nitruro del galio, y particularmente con una mejora en el material de un contacto de Schottky usado en el dispositivo de semiconductor.(2) Arte relacionadoCon la comunicación sin hilos de la amplio-venda estos últimos años, las demandas han aumentado para los circuitos que pueden funcionar en el de alta frecuencia. Los componentes del semiconductor en tales circuitos de alta frecuencia deben también ser compatibles con de alta frecuencia. Los componentes del semiconductor del compuesto del nitruro del galio están demostrando promesa como materiales de alta frecuencia del dispositivo de energía que respondan a las demandas.Un semiconductor del compuesto del nitruro del galio refiere a un semiconductor que sea un compuesto del nitruro del galio (GaN), del nitruro de aluminio del galio (AlGaN), del nitruro del galio del indio (InGaN), del nitruro de aluminio del galio del indio (InAlGaN), o de los similares. Generalmente, tal compuesto se expresa como In.sub.XAl.sub.YGa.sub.1-X-YN (0.ltoreq. X< 1, 0.ltoreq. Y< 1, 0.ltoreq. X+Y< 1).Un semiconductor del compuesto del nitruro del galio tiene alta fuerza del campo de la interrupción dieléctrica, alta conductividad termal y alta velocidad de la saturación del electrón. Sobretodo, un semiconductor del compuesto del nitruro del galio de los structurehas de un heterojunction de AlGaN/GaN una fuerza del campo de 1*10.sup.5 V/cm, y una velocidad del electrón que es dos veces la de un semiconductor compuesto arsénico del galio. Por esta razón, las expectativas son altas que las características de alta frecuencia superiores serán observadas si semiconductores más finos del compuesto del galliumnitride pueden ser fabricado.Un tipo de componente del circuito que utilice esta clase de semiconductor del compuesto del nitruro del galio es un transistor del efecto
Jorge L. Polentino U.
EES
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