Un método para crecer cristales del semiconductor del nitruro según la actual invención incluye los pasos de: a) formando un solo cristal del primer metal acode en un substrato; b) formando cristal del nitruro del metal un solo acode nitrificando la primera capa del solo cristal del metal; y c) epitaxially que crece una primera capa del semiconductor del nitruro en la capa del solo cristal del nitruro del metal.
En las demandas:
1. El abarcar del dispositivo de semiconductor del nitruro: un substrato del solo cristal; una capa del solo cristal del nitruro del metal formó nitrificando un metal solo capa cristalina en el substrato del solo cristal; un semiconductor de múltiples capas estructura incluyendo una primera capa del semiconductor del nitruro epitaxially crecida en la capa del solo cristal del nitruro del metal; y un par de los electrodos para aplicación de un voltaje a la estructura de múltiples capas del semiconductor.
2. El abarcar del dispositivo de semiconductor del nitruro: un substrato del solo cristal con conductividad; una capa del solo cristal del nitruro del metal formó cerca nitrificando un solo cristal del metal acode en el substrato del solo cristal; una estructura de múltiples capas del semiconductor incluyendo un primer nitruro capa del semiconductor epitaxially crecida en cristal del nitruro del metal el solo capa; y un par de electrodos formó para hacerse frente en respectivo superficies del substrato del solo cristal y del semiconductor de múltiples capas estructura, que se interponen entre las superficies.
FONDO DE LA INVENCIÓN[0001] La actual invención se relaciona con un método para crecer el nitruro cristales del semiconductor, un dispositivo de semiconductor del nitruro y un método para fabricar igual.[0002] Los semiconductores tales como GaN, mesón del nitruro y AlN son materiales utilizado convenientemente para los dispositivos del laser del semiconductor azul-luz-que emiten y tipos numerosos de dispositivos de semiconductor, e.g., transistores que funcionan en a velocidad en una temperatura elevada.[0003] Los varios métodos se han sugerido para formar una capa del solo cristal de un semiconductor del nitruro conveniente para estos dispositivos de semiconductor.[0004] Por ejemplo, según una técnica convencional, un nitruro la capa del semiconductor (e.g., una capa de AlN) se deposita directamente en a substrato del solo cristal del zafiro (Al.sub.2O.sub.3) o del silicio por a epitaxy metalorganic de la fase del vapor (abreviado a "MOVPE" y también llamado "un proceso metalorganic de la deposición de vapor químico (MOCVD)"). El nitruro la capa del semiconductor formada con este método, sin embargo, tiene superficie pobre la morfología y es probable agrietarse, dando por resultado una producción más baja. Así, esto el método no se ha puesto en práctica. El agrietarse se causa probablemente debido a una tensión termal resultando de una diferencia en la extensión termal coeficiente entre un substrato del solo cristal y un nitruro capa del semiconductor durante el proceso de bajar la deposición temperatura de la capa del semiconductor del nitruro (sobre 1000.degree. C. para AlN) a la temperatura ambiente.[0005] Otra técnica de formar un solo nitruro cristalino la capa del semiconductor fue desarrollada más adelante según lo divulgado en japonés Poner-Abra las publicaciones No. 4-297023 y 7-312350. Según esto técnica, una capa amorfa o polycrystalline del semiconductor del nitruro
Jorge L. Polentino U.
EES
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